平成14（2002）年度 卒業生


総合理工学研究科 物質科学専攻 博士前期課程 修了


氏名 修論タイトル
角 直美 放電プラズマ焼結によるSiC系半導体の開発

総合理工学部 物質科学科 卒業


氏名 卒論タイトル
田盛 友香 昇華法によるSiC系半導体の作製
永岡 久典 XFe4Sb12 (X＝Ba, La, Ce, Yb) 充填スクッテルダイト化合物の作製と熱電特性
野口 浩幸 Bi100-xSbx (x = 8～17) の作製と半導体特性の解析
森崎 義則 通電加圧加工により作製したBi2Te3系半導体の構造と熱電特性

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